TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | TPC8A06-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 98530 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TPC8A06-H(TE12LQM).pdf |
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- Numéro d'article
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 12A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10.1 mOhm @ 6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 19nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1800pF @ 10V
- FET Caractéristique
- Schottky Diode (Body)
- Dissipation de puissance (Max)
-
- Température de fonctionnement
-
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Paquet / cas
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Poids
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- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- TPC8A06-H(TE12LQM)
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Mots-clés associés pour "TPC8A0"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP |
| TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |