TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 36410 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf |
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- Numero di parte
- TPC8212-H(TE12LQ,M
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 21 mOhm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 10V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 840pF @ 10V
- Potenza - Max
- 450mW
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPC8212-H(TE12LQ,M
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Parole chiave correlate per "TPC821"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 |
| TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 |