TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 36410 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf |
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- Numéro d'article
- TPC8212-H(TE12LQ,M
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Caractéristique
- Logic Level Gate
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 21 mOhm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 10V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 840pF @ 10V
- Puissance - Max
- 450mW
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Package de périphérique fournisseur
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- TPC8212-H(TE12LQ,M
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Mots-clés associés pour "TPC821"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 |
| TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 |