codice articolo del costruttoreTK31V60W,LVQ
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible148680 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
TK31V60W,LVQ
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Caratteristica FET
Super Junction
Dissipazione di potenza (max)
240W (Tc)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-DFN-EP (8x8)
Pacchetto / caso
4-VSFN Exposed Pad
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
TK31V60W,LVQ

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