Référence fabricantTK31V60W,LVQ
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible148680 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
TK31V60W,LVQ
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
FET Caractéristique
Super Junction
Dissipation de puissance (Max)
240W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
4-DFN-EP (8x8)
Paquet / cas
4-VSFN Exposed Pad
Poids
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Pièce de rechange
TK31V60W,LVQ

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