RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | RN1910FE,LF(CT |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 22080 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | RN1910FE,LF(CT.pdf |
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- Numero di parte
- RN1910FE,LF(CT
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 4.7 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Corrente - Limite del collettore (max)
- 100nA (ICBO)
- Frequenza - Transizione
- 250MHz
- Potenza - Max
- 100mW
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- SOT-563, SOT-666
- Pacchetto dispositivo fornitore
- ES6
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- RN1910FE,LF(CT
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
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| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
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