codice articolo del costruttoreRN1902FE,LF(CT
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible153770 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
RN1902FE,LF(CT
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
RN1902FE,LF(CT

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