RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | RN1910FE,LF(CT |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 22080 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | RN1910FE,LF(CT.pdf |
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- Número da peça
- RN1910FE,LF(CT
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de transistor
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 100mA
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 4.7 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 100nA (ICBO)
- Frequência - Transição
- 250MHz
- Power - Max
- 100mW
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- SOT-563, SOT-666
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- ES6
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- RN1910FE,LF(CT
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