HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 32710 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | TRANSISTOR NPN US6 |
| categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - RF |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | HN3C10FUTE85LF.pdf |
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- Numero di parte
- HN3C10FUTE85LF
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 12V
- Frequenza - Transizione
- 7GHz
- Figura del rumore (dB Typ @ f)
- 1.1dB @ 1GHz
- Guadagno
- 11.5dB
- Potenza - Max
- 200mW
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 20mA, 10V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 80mA
- temperatura di esercizio
-
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Pacchetto dispositivo fornitore
- US6
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- HN3C10FUTE85LF
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Parole chiave correlate per "HN3C"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 |