HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Cantidad disponible | 32710 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | TRANSISTOR NPN US6 |
| categoria de producto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | HN3C10FUTE85LF.pdf |
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- Número de pieza
- HN3C10FUTE85LF
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de transistor
- 2 NPN (Dual)
- Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
- 12V
- Frecuencia - Transición
- 7GHz
- Figura de ruido (dB Typ @ f)
- 1.1dB @ 1GHz
- Ganancia
- 11.5dB
- Potencia - Max
- 200mW
- Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 20mA, 10V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 80mA
- Temperatura de funcionamiento
-
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Paquete de dispositivo del proveedor
- US6
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- HN3C10FUTE85LF
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 |