Numero di parte

RJK0601DPN-E0#T2

Stato di produzione (ciclo di vita)

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Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 10V

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / caso

TO-220-3

Peso

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Applicazione

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Pezzo di ricambio

RJK0601DPN-E0#T2