codice articolo del costruttoreRJK0601DPN-E0#T2
Produttore / MarcaRenesas Electronics America
quantité disponible149910 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 60V 110A TO220
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
RJK0601DPN-E0#T2
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
110A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
141nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 10V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / caso
TO-220-3
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
RJK0601DPN-E0#T2

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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RJK0653DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
RJK0654DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V LFPAK
RJK0655DPB-00#J5 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
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