Número de pieza

RJK0601DPN-E0#T2

Estado de producción (ciclo de vida)

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Fabricante plazo de ejecución

6-8 weeks

Condición

New & Unused, Original Sealed

forma de envio

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Estado de la pieza

Obsolete

Tipo de FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Drene a la fuente de voltaje (Vdss)

60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

110A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 10V

Característica FET

-

Disipación de potencia (Máx)

200W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Paquete / caja

TO-220-3

Peso

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Repuesto

RJK0601DPN-E0#T2