codice articolo del costruttoreMT41K512M8V00HWC1-N002
Produttore / MarcaMicron Technology Inc.
quantité disponible135980 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 4G PARALLEL
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MT41K512M8V00HWC1-N002
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria
4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock
-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
-
Tempo di accesso
-
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.283 V ~ 1.45 V
temperatura di esercizio
0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio
-
Pacchetto / caso
-
Pacchetto dispositivo fornitore
-
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MT41K512M8V00HWC1-N002

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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MT41K512M16HA-107:A Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
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