Référence fabricantMT41K512M8V00HWC1-N002
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible135980 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 4G PARALLEL
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT41K512M8V00HWC1-N002
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - DDR3L
Taille mémoire
4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
-
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.283 V ~ 1.45 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT41K512M8V00HWC1-N002

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Numéro d'article Fabricant La description
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MT41K512M16HA-107:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
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