Hersteller-TeilenummerMT41K512M8V00HWC1-N002
Hersteller / MarkeMicron Technology Inc.
verfügbare Anzahl135980 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC DRAM 4G PARALLEL
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
MT41K512M8V00HWC1-N002
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR3L
Speichergröße
4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz
-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.283 V ~ 1.45 V
Betriebstemperatur
0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart
-
Paket / Fall
-
Lieferantengerätepaket
-
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
MT41K512M8V00HWC1-N002

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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