SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributeur
| Référence fabricant | SI5858DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 179650 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SI5858DU-T1-GE3.pdf |
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- Numéro d'article
- SI5858DU-T1-GE3
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 20V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 8V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 520pF @ 10V
- FET Caractéristique
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipation de puissance (Max)
- 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- PowerPAK® ChipFet Dual
- Paquet / cas
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- SI5858DU-T1-GE3
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| SI5853 | VISHAY | SI5853 original vishay components |
| SI5853-T1-E3 | VISHAY | SI5853-T1-E3 original vishay components |
| SI5853CD-T1-E3 | VISHAY | SI5853CD-T1-E3 original vishay components |
| SI5853CDC | VISHAY | SI5853CDC original vishay components |
| SI5853CDC-T1 | VISHAY | SI5853CDC-T1 original vishay components |
| SI5853CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| SI5853CDC-T1-GE3 | VISHAY | SI5853CDC-T1-GE3 original vishay components |
| SI5853DC | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode |
| SI5853DC-T1 | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode |
| Si5853DC-T1 / Si5853CDC-T1 | VISHAY | Si5853DC-T1 / Si5853CDC-T1 original vishay components |
| SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| Si5853DC-T1-E3 NOPB | VISHAY | Si5853DC-T1-E3 NOPB original vishay components |