Référence fabricantSI5858DU-T1-GE3
Fabricant / marqueVishay Siliconix
quantité disponible179650 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique SI5858DU-T1-GE3.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour SI5858DU-T1-GE3 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
SI5858DU-T1-GE3
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Vgs (Max)
±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 10V
FET Caractéristique
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max)
2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
PowerPAK® ChipFet Dual
Paquet / cas
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
SI5858DU-T1-GE3

Composants connexes fabriqués par Vishay Siliconix

Mots-clés associés pour "SI585"

Numéro d'article Fabricant La description
SI5853 VISHAY SI5853 original vishay components
SI5853-T1-E3 VISHAY SI5853-T1-E3 original vishay components
SI5853CD-T1-E3 VISHAY SI5853CD-T1-E3 original vishay components
SI5853CDC VISHAY SI5853CDC original vishay components
SI5853CDC-T1 VISHAY SI5853CDC-T1 original vishay components
SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
SI5853CDC-T1-GE3 VISHAY SI5853CDC-T1-GE3 original vishay components
SI5853DC VISHAY P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5853DC-T1 VISHAY P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
Si5853DC-T1 / Si5853CDC-T1 VISHAY Si5853DC-T1 / Si5853CDC-T1 original vishay components
SI5853DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Si5853DC-T1-E3 NOPB VISHAY Si5853DC-T1-E3 NOPB original vishay components