SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | SI5858DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Siliconix |
| Cantidad disponible | 179650 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | SI5858DU-T1-GE3.pdf |
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- Número de pieza
- SI5858DU-T1-GE3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 20V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 8V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 520pF @ 10V
- Característica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Disipación de potencia (Máx)
- 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PowerPAK® ChipFet Dual
- Paquete / caja
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SI5858DU-T1-GE3
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| SI5853CDC-T1-GE3 | VISHAY | SI5853CDC-T1-GE3 original vishay components |
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| SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
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