![SI5858DU-T1-GE3](http://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/PowerPAK%20ChipFet%20Dual.jpg)
Hersteller-Teilenummer | SI5858DU-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke | Vishay Siliconix |
verfügbare Anzahl | 179650 Pieces |
Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SI5858DU-T1-GE3.pdf |
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- Artikelnummer
- SI5858DU-T1-GE3
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Obsolete
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 8V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 520pF @ 10V
- FET-Eigenschaft
- Schottky Diode (Isolated)
- Verlustleistung (Max)
- 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PowerPAK® ChipFet Dual
- Paket / Fall
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- SI5858DU-T1-GE3
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