Référence fabricantSI5511DC-T1-GE3
Fabricant / marqueVishay Siliconix
quantité disponible75080 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
SI5511DC-T1-GE3
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Puissance - Max
3.1W, 2.6W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur
1206-8 ChipFET™
Poids
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Application
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Pièce de rechange
SI5511DC-T1-GE3

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Numéro d'article Fabricant La description
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SI5513DC-T1 VISHAY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 TEL:82766440 VISHAY SI5513DC-T1 TEL:82766440 original vishay components
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