Hersteller-TeilenummerSI5511DC-T1-GE3
Hersteller / MarkeVishay Siliconix
verfügbare Anzahl75080 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
SI5511DC-T1-GE3
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
N and P-Channel
FET-Eigenschaft
Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
4A, 3.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Leistung max
3.1W, 2.6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket
1206-8 ChipFET™
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
SI5511DC-T1-GE3

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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SI5513DC-T1 VISHAY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
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