SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor Distributeur
Référence fabricant | SCT2H12NYTB |
---|---|
Fabricant / marque | Rohm Semiconductor |
quantité disponible | 173560 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | SCT2H12NYTB.pdf |
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- Numéro d'article
- SCT2H12NYTB
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 1700V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 410µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 14nC @ 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -6V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 184pF @ 800V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 44W (Tc)
- Température de fonctionnement
- 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- TO-268
- Paquet / cas
- TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- SCT2H12NYTB
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