SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor Distribuidor
Número de pieza del fabricante | SCT2H12NYTB |
---|---|
Fabricante / Marca | Rohm Semiconductor |
Cantidad disponible | 173560 Pieces |
Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descripción | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | SCT2H12NYTB.pdf |
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- Número de pieza
- SCT2H12NYTB
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 1700V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 410µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 14nC @ 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -6V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 184pF @ 800V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 44W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-268
- Paquete / caja
- TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SCT2H12NYTB
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