IXTD2N60P-1J IXYS Distributeur
| Référence fabricant | IXTD2N60P-1J |
|---|---|
| Fabricant / marque | IXYS |
| quantité disponible | 179440 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 600 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IXTD2N60P-1J.pdf |
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- Numéro d'article
- IXTD2N60P-1J
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Last Time Buy
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 600V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.1 Ohm @ 1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 7nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 240pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 56W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- Die
- Paquet / cas
- Die
- Poids
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- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IXTD2N60P-1J
Composants connexes fabriqués par IXYS
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Mots-clés associés pour "IXTD"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| IXTD1R4N60P 11 | IXYS | MOSFET N-CH 600V |
| IXTD2N60P-1J | IXYS | MOSFET N-CH 600 |
| IXTD3N50P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 500 |
| IXTD3N60P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 600 |
| IXTD4N80P-3J | IXYS | MOSFET N-CH 800 |
| IXTD5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE |