![IXTD2N60P-1J](/upload/images/manufacturer/ixys-corporation.jpg)
Hersteller-Teilenummer | IXTD2N60P-1J |
---|---|
Hersteller / Marke | IXYS |
verfügbare Anzahl | 179440 Pieces |
Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 600 |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IXTD2N60P-1J.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IXTD2N60P-1J innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- IXTD2N60P-1J
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Last Time Buy
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 5.1 Ohm @ 1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 7nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 240pF @ 25V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 56W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- Die
- Paket / Fall
- Die
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- IXTD2N60P-1J
Verwandte Komponenten von IXYS
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IXTD"
Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
---|---|---|
IXTD1R4N60P 11 | IXYS | MOSFET N-CH 600V |
IXTD2N60P-1J | IXYS | MOSFET N-CH 600 |
IXTD3N50P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 500 |
IXTD3N60P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 600 |
IXTD4N80P-3J | IXYS | MOSFET N-CH 800 |
IXTD5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE |