Référence fabricantGA50JT06-258
Fabricant / marqueGeneSiC Semiconductor
quantité disponible88080 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR SJT 600V 100A
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
GA50JT06-258
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
-
La technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
769W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Package de périphérique fournisseur
TO-258
Paquet / cas
TO-258-3, TO-258AA
Poids
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Application
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Pièce de rechange
GA50JT06-258

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