Número de pieza del fabricanteGA50JT06-258
Fabricante / MarcaGeneSiC Semiconductor
Cantidad disponible88080 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónTRANSISTOR SJT 600V 100A
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
GA50JT06-258
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
-
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
769W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-258
Paquete / caja
TO-258-3, TO-258AA
Peso
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Solicitud
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Repuesto
GA50JT06-258

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Número de pieza Fabricante Descripción
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