SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | SISC06DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Siliconix |
| Cantidad disponible | 131600 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 30V |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | SISC06DN-T1-GE3.pdf |
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- Número de pieza
- SISC06DN-T1-GE3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 30V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 27.6A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.7 mOhm @ 15A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.1V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 58nC @ 10V
- Vgs (Max)
- +20V, -16V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2455pF @ 15V
- Característica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Disipación de potencia (Máx)
- 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PowerPAK® 1212-8
- Paquete / caja
- PowerPAK® 1212-8
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SISC06DN-T1-GE3
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| SISC050N10DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN SAWED WAFER |
| SISC06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V |
| SISC097N24DX1SA1 | Infineon Technologies | TRANSISTOR P-CH BARE DIE |