SISC06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | SISC06DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Vishay Siliconix |
| verfügbare Anzahl | 131600 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 30V |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SISC06DN-T1-GE3.pdf |
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- Artikelnummer
- SISC06DN-T1-GE3
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 30V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 27.6A (Ta), 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 2.7 mOhm @ 15A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.1V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 58nC @ 10V
- Vgs (Max)
- +20V, -16V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 2455pF @ 15V
- FET-Eigenschaft
- Schottky Diode (Isolated)
- Verlustleistung (Max)
- 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PowerPAK® 1212-8
- Paket / Fall
- PowerPAK® 1212-8
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- SISC06DN-T1-GE3
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| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| SISC050N10DX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN SAWED WAFER |
| SISC06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V |
| SISC097N24DX1SA1 | Infineon Technologies | TRANSISTOR P-CH BARE DIE |