Número de pieza del fabricanteTPC6008-H(TE85L,FM
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible51060 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
TPC6008-H(TE85L,FM
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso
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Solicitud
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Repuesto
TPC6008-H(TE85L,FM

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Número de pieza Fabricante Descripción
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TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6