Hersteller-TeilenummerTPC6008-H(TE85L,FM
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl51060 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
TPC6008-H(TE85L,FM
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
5.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / Fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
TPC6008-H(TE85L,FM

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
TPC6006-H(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6