Número de pieza del fabricanteRN1702JE(TE85L,F)
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible155160 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
categoria de productoTransistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
RN1702JE(TE85L,F)
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
50V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Max
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
SOT-553
Paquete de dispositivo del proveedor
ESV
Peso
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Solicitud
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Repuesto
RN1702JE(TE85L,F)

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