Hersteller-TeilenummerRN1702JE(TE85L,F)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl155160 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen RN1702JE(TE85L,F).pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für RN1702JE(TE85L,F) innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
RN1702JE(TE85L,F)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung max
100mW
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
SOT-553
Lieferantengerätepaket
ESV
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
RN1702JE(TE85L,F)

Verwandte Komponenten von Toshiba Semiconductor and Storage

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "RN170"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV