VS-GT50TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division дистрибьютор
| Номер детали производителя | VS-GT50TP60N |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Доступное количество | 180200 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - IGBT - Модули |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | VS-GT50TP60N.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение VS-GT50TP60N в течение 24 часов.
- номер части
- VS-GT50TP60N
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип IGBT
- Trench
- конфигурация
- Half Bridge
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 600V
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 85A
- Мощность - макс.
- 208W
- Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
- 2.1V @ 15V, 50A
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 1mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce
- 3.03nF @ 30V
- вход
- Standard
- Термистор NTC
- No
- Рабочая Температура
- 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Chassis Mount
- Упаковка / чехол
- INT-A-PAK (3 + 4)
- Пакет устройств поставщика
- INT-A-PAK
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- VS-GT50TP60N
Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division
.jpg "CDR32BX103BKWRAJ")
Связанные ключевые слова "VS-G"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| VS-GA100NA60UP | VISHAY | VS-GA100NA60UP original vishay components |
| VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 |
| VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK |
| VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 |
| VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK |
| VS-GA400TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK |
| VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE MTP SWITCH |
| VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK |
| VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK |
| VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK |
| VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK |
| VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK |