VS-GT50TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division Distributeur
| Référence fabricant | VS-GT50TP60N |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| quantité disponible | 180200 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | VS-GT50TP60N.pdf |
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- Numéro d'article
- VS-GT50TP60N
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type d'IGBT
- Trench
- Configuration
- Half Bridge
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 600V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 85A
- Puissance - Max
- 208W
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.1V @ 15V, 50A
- Courant - Coupure du collecteur (Max)
- 1mA
- Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
- 3.03nF @ 30V
- Contribution
- Standard
- Thermistance NTC
- No
- Température de fonctionnement
- 175°C (TJ)
- Type de montage
- Chassis Mount
- Paquet / cas
- INT-A-PAK (3 + 4)
- Package de périphérique fournisseur
- INT-A-PAK
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- VS-GT50TP60N
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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