SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIHU6N62E-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 121630 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SIHU6N62E-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIHU6N62E-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIHU6N62E-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 620V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 900 mOhm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 578pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 78W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- IPAK (TO-251)
- Упаковка / чехол
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SIHU6N62E-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
VISHAYTantalum-Cased-Tantalum Sintered Anode TANTALEX㈢ Capacitors for Operation to + 125 ∑C -
-
-
-
-
.jpg "PHP00603E1301BST1")
Связанные ключевые слова "SIHU"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK |
| SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
| SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
| SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK |
| SIHU4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
| SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
| SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
| SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 |
| SIHU6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK |
| SIHU6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
| SIHU7N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |
| SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |