SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIHB33N60EF-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 34160 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SIHB33N60EF-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIHB33N60EF-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIHB33N60EF-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 98 mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 155nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 3454pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 278W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK (TO-263)
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SIHB33N60EF-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-
-
-
VISHAYBulk Metal㈢ Foil Technology Tubular Axial-Lead Resistors, Meets or Exceed MIL-R-39005 Requirements -
-
-
-
VISHAYWet Tantalum Capacitors with Glass to Tantalum Hermetic Seal CECC 30202 Approved
-
-
-
Связанные ключевые слова "SIHB3"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V D2PAK |
| SiHB30N60E | VISHAY | SiHB30N60E original vishay components |
| SIHB30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
| SIHB35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 |