SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIB437EDKT-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 57210 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SIB437EDKT-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIB437EDKT-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIB437EDKT-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Last Time Buy
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 8V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.2V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 34 mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 700mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 16nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±5V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
-
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.4W (Ta), 13W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PowerPAK® TSC75-6
- Упаковка / чехол
- PowerPAK® TSC-75-6
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SIB437EDKT-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-1,30mm.jpg "CDR31BP3R9BCZMAT")
Связанные ключевые слова "SIB43"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIB433EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6 |
| SIB437EDKT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6 |