SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIA817EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 96300 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SIA817EDJ-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIA817EDJ-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 4.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 65 mOhm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 600pF @ 15V
- Функция FET
- Schottky Diode (Body)
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Упаковка / чехол
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SIA817EDJ-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
.jpg "PLT0603Z3120LBTS")
.jpg "CDR32BP471BKYPAT")
Связанные ключевые слова "SIA81"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIA810DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
| SIA810DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 |
| SIA811DJ | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIA811DJ-T1 | VISHAY | SIA811DJ-T1 original vishay components |
| SIA811DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| SIA811DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| SIA814DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 |
| SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 |