SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI4101DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 182460 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SI4101DY-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI4101DY-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI4101DY-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 25.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6 mOhm @ 15A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 203nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 8190pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.9W (Ta), 6W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-SO
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SI4101DY-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
.jpg "CDR35BX274AKWSAJ")
.jpg "PHP00603E2462BBT1")
Связанные ключевые слова "SI410"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI410 @@@@@@@@@@@ | Texas Instruments （TI） | SI410 @@@@@@@@@@@ TI TSSOP8 IC |
| SI4100 | VISHAY | SI4100 original vishay components |
| SI4100DT-T1-GE3 | VISHAY | SI4100DT-T1-GE3 original vishay components |
| SI4100DY-T1 | VISHAY | SI4100DY-T1 original vishay components |
| Si4100DY-T1-E | VISHAY | Si4100DY-T1-E original vishay components |
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC |
| SI4102DY | VISHAY | SI4102DY original vishay components |
| Si4102DY-T1-E | VISHAY | Si4102DY-T1-E original vishay components |
| SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |