SI3460BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI3460BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 145000 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SI3460BDV-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI3460BDV-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI3460BDV-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 24nC @ 8V
- Vgs (Макс.)
- ±8V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 860pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2W (Ta), 3.5W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 6-TSOP
- Упаковка / чехол
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SI3460BDV-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
Связанные ключевые слова "SI346"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI3460 | VISHAY | SI3460 original vishay components |
| SI3460BDV | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3460BDV-T | VISHAY | SI3460BDV-T original vishay components |
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| SI3460BDVT1E3 | VISHAY | SI3460BDVT1E3 original vishay components |
| SI3460DDV-T | VISHAY | SI3460DDV-T original vishay components |
| SI3460DDV-T1-E3 | VISHAY | SI3460DDV-T1-E3 original vishay components |
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP |
| SI3460DV | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3460DV--T1 | VISHAY | SI3460DV--T1 original vishay components |
| Si3460DV-T1 | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |