Номер детали производителяGB35XF120K
Производитель / МаркаVishay Semiconductor Diodes Division
Доступное количество109040 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеMODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию GB35XF120K.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение GB35XF120K в течение 24 часов.

номер части
GB35XF120K
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Obsolete
Тип IGBT
NPT
конфигурация
Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
50A
Мощность - макс.
284W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce
3.475nF @ 30V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
ECONO2
Пакет устройств поставщика
-
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
GB35XF120K

Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division

Связанные ключевые слова "GB3"

номер части производитель Описание
GB30NC60K STMicroelectronics GB30NC60K STM IC TO-263
GB35N35LZ STMicroelectronics GB35N35LZ STM IC TO-263
GB35XF120K Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
GB3NB60 STMicroelectronics GB3NB60 STM IC TO263
GB3NB60HD STMicroelectronics N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT IC
GB3NB60KD STMicroelectronics N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT IC
GB3NB60SD STMicroelectronics GB3NB60SD STM IC ORIGINAL
GB3NC120HD STMicroelectronics GB3NC120HD STM IC TO-263