TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TPC8111(TE12L,Q,M) |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Доступное количество | 157920 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | TPC8111(TE12L,Q,M).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TPC8111(TE12L,Q,M) в течение 24 часов.
- номер части
- TPC8111(TE12L,Q,M)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 11A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 12 mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 107nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 5710pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1W (Ta)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- TPC8111(TE12L,Q,M)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg "TC7SBL66CFU,LF")
.jpg "TL1L4-LW1,L")
Связанные ключевые слова "TPC811"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TPC8110(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B |
| TPC8111(T2LIBM2Q，M | Texas Instruments （TI） | TPC8111(T2LIBM2Q，M TI Original IC |
| TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8113(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8114(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8114(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B |
| TPC8117(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8117(TE12L，Q，M) TI Original IC |