TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TPC8062-H,LQ(CM |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Доступное количество | 90400 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | TPC8062-H,LQ(CM.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TPC8062-H,LQ(CM в течение 24 часов.
- номер части
- TPC8062-H,LQ(CM
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 18A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 5.8 mOhm @ 9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 300µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2900pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1W (Ta)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 8-SOP
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- TPC8062-H,LQ(CM
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "TPC80"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TPC8002C | FAIRCHILD | TPC8002C FAIRCHILD IC SOP-8 |
| TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP |
| TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8017-H(TE12LQM) | Texas Instruments （TI） | TPC8017-H(TE12LQM) TI Original IC |
| TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
| TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B |
| TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| TPC8026(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8026(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8028(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8028(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8031-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8032-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B |