TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TK040N65Z,S1F |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Доступное количество | 114280 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | TK040N65Z,S1F.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TK040N65Z,S1F в течение 24 часов.
- номер части
- TK040N65Z,S1F
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 650V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 57A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 40 mOhm @ 28.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 2.85mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 105nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 6250pF @ 300V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 360W (Tc)
- Рабочая Температура
- 150°C
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-247
- Упаковка / чехол
- TO-247-3
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- TK040N65Z,S1F
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
.JPG "TA7291P(O)")
.jpg "TB62781FNG,8,EL")
Связанные ключевые слова "TK04"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TK040N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |