Номер детали производителяRN1704JE(TE85L,F)
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Доступное количество32040 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Категория продуктаТранзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию RN1704JE(TE85L,F).pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN1704JE(TE85L,F) в течение 24 часов.

номер части
RN1704JE(TE85L,F)
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
50V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz
Мощность - макс.
100mW
Тип монтажа
Surface Mount
Упаковка / чехол
SOT-553
Пакет устройств поставщика
ESV
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
RN1704JE(TE85L,F)

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "RN170"

номер части производитель Описание
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ESV