Номер детали производителяMT3S111P(TE12L,F)
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Доступное количество179650 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Категория продуктаТранзисторы - биполярные (BJT) - RF
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию MT3S111P(TE12L,F).pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT3S111P(TE12L,F) в течение 24 часов.

номер части
MT3S111P(TE12L,F)
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
6V
Частота - переход
8GHz
Шум (дБ Тип @ f)
1.25dB @ 1GHz
Усиление
10.5dB
Мощность - макс.
1W
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
100mA
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Упаковка / чехол
TO-243AA
Пакет устройств поставщика
PW-MINI
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
MT3S111P(TE12L,F)

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "MT3S1"

номер части производитель Описание
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR RF NPN 5V 1GHZ USM