RDN080N25FU6 Rohm Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | RDN080N25FU6 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Rohm Semiconductor |
| Доступное количество | 50470 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | RDN080N25FU6.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RDN080N25FU6 в течение 24 часов.
- номер части
- RDN080N25FU6
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 250V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 500 mOhm @ 4A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 543pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 35W (Tc)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-220FN
- Упаковка / чехол
- TO-220-3 Full Pack
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- RDN080N25FU6
Связанные компоненты сделаны Rohm Semiconductor
.jpg "KTR10EZPJ200")
-1206-pkg.jpg "TCA1A156M8R")
Связанные ключевые слова "RDN0"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RDN050N20FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN |
| RDN080N25FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN |