RJK0703DPN-E0#T2 Renesas Electronics America дистрибьютор
| Номер детали производителя | RJK0703DPN-E0#T2 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Renesas Electronics America |
| Доступное количество | 209390 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 75V 70A TO220 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | RJK0703DPN-E0#T2.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RJK0703DPN-E0#T2 в течение 24 часов.
- номер части
- RJK0703DPN-E0#T2
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 75V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 70A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6.7 mOhm @ 35A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 56nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 4150pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 125W (Tc)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-220AB
- Упаковка / чехол
- TO-220-3
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- RJK0703DPN-E0#T2
Связанные компоненты сделаны Renesas Electronics America
Связанные ключевые слова "RJK07"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RJK0703DPN-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 75V 70A TO220 |
| RJK0703DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 75V 70A TO220 |