Номер детали производителяMMRF1020-04GNR3
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество179290 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеFET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию MMRF1020-04GNR3.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MMRF1020-04GNR3 в течение 24 часов.

номер части
MMRF1020-04GNR3
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
LDMOS (Dual)
частота
920MHz
Усиление
19.5dB
Напряжение - испытание
48V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
860mA
Выходная мощность
100W
Напряжение - Номинальное напряжение
105V
Упаковка / чехол
OM-780G-4L
Пакет устройств поставщика
OM-780G-4L
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
MMRF1020-04GNR3

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "MMRF1"

номер части производитель Описание
MMRF1004GNR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2
MMRF1004NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
MMRF1005HR5 NXP USA Inc. FET RF 120V 1.3GHZ NI-780
MMRF1005HSR5 NXP USA Inc. FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S
MMRF1006HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
MMRF1006HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S
MMRF1007HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
MMRF1007HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
MMRF1008GHR5 NXP USA Inc. PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER
MMRF1008HR5 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
MMRF1009HR5 NXP USA Inc. FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S