Номер детали производителяMMRF1007HSR5
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество85700 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеFET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию MMRF1007HSR5.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MMRF1007HSR5 в течение 24 часов.

номер части
MMRF1007HSR5
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
LDMOS (Dual)
частота
1.03GHz
Усиление
20dB
Напряжение - испытание
50V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
150mA
Выходная мощность
1000W
Напряжение - Номинальное напряжение
110V
Упаковка / чехол
NI-1230-4S
Пакет устройств поставщика
NI-1230-4S
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
MMRF1007HSR5

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "MMRF"

номер части производитель Описание
MMRF1004GNR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2
MMRF1004NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
MMRF1005HR5 NXP USA Inc. FET RF 120V 1.3GHZ NI-780
MMRF1005HSR5 NXP USA Inc. FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S
MMRF1006HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
MMRF1006HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S
MMRF1007HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
MMRF1007HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
MMRF1008GHR5 NXP USA Inc. PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER
MMRF1008HR5 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
MMRF1009HR5 NXP USA Inc. FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S